IGBT mit: einem Halbleitersubstrat mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche, die einander gegenüberliegen; und einem Element mit einer Gateelektrode (5a), die auf einer Seite der ersten Hauptoberfläche ausgebildet ist, einer ersten Elektrode (11), die auf der Seite der ersten Hauptoberfläche ausgebildet ist, und einer zweiten Elektrode (12), die in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche ausgebildet ist, und einer Kollektorregion, die auf der zweiten Hauptoberfläche ausgebildet ist, wobei die Kollektorregion eine Kollektordiffusionsschicht (8) eines ersten Leitungstyps in Kontakt zu der zweiten Elektrode (12) beinhaltet sowie eine Pufferdiffusionsschicht (7) eines zweiten Leitungstyps, die näher zu der ersten Hauptoberfläche hin ausgebildet ist als die Kollektordiffusionsschicht, bei der eine Verunreinigungskonzentration (C S,P ) der Kollektordiffusionsschicht in einer Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrode (12) und der Kollektordiffusionsschicht (8) nicht geringer als 5,0 × 10 15 cm –3 und nicht größer als 1,0 × 10 22 cm –3 ist.




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