Verfahren zur Überprüfung zumindest eines Teils eines Halbleiterwafers mit einem Rasterelektronenmikroskop

Abstract

Verfahren zur Überprüfung zumindest eines Teils eines Halbleiterwafers mit folgenden Verfahrensschritten: – Einlesen von Bilddaten eines Rasterelektronenmikroskops (100) für den Teil des Halbleiterwafers; – Identifizierung von Bilddaten für ein Merkmal des Halbleiterwafers aus den Daten für den Teil des Halbleiterwafers; – Berechnung eines dem Merkmal zugeordneten Parameters aus den Bilddaten des Merkmals; – Vergleich des Parameters mit einem Bereich von zu akzeptierenden Parameterwerten; – Klassifizierung des Merkmals entsprechend dem Vergleich mit den zu akzeptierenden Parameterwerten; gekennzeichnet durch die folgenden Merkmale: – auf das Bild des Rasterelektronenmikroskops (100) für den überprüfenden Teil des Halbleiterwafers wird ein Gitter mit Gitterachsen überlagert, die eine Vielzahl von Maschen definieren, wobei jede Masche eine vorgegebene Anzahl von Pixeln aufweist, so dass jede Masche oder ausgewählte Maschen eine vorbestimmte Anzahl von gleichzeitig zu analysierenden Merkmalen umfasst; wobei – durch Einstellen der Abstände der Gitterachsen die Anzahl der Pixel...

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